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Dr. Lothar Frey
Dr. Lothar Frey Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) Schottkystraße 10 91058 Erlangen
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Prof. Dr. Alfred Forchel
Prof. Dr. Alfred Forchel Universität Würzburg Technische Physik Am Hubland 97074 Würzburg
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Dr. Bernd Fischer
Dr. Bernd Fischer Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie (IISB) Schottkystraße 10 91058 Erlangen
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Atomar kontrollierte Synthese von alternativen Gate-Dielektrika
Atomar kontrollierte Synthese von alternativen Gate-Dielektrika Die fortschreitende Reduzierung kritischer Dimensionen in den aktiven und passiven Elementen integrierter, Si-basierter Schaltungen…
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Atomar-selbstregelnde Abscheidung von Siliziumnitridschichten
Atomar-selbstregelnde Abscheidung von Siliziumnitridschichten Im Teilprojekt soll untersucht werden, inwieweit durch neue Verfahren die atomar-selbstregelnde Abscheidung von Nanometerschichten auf…
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Nanoimprint-Lithographie
Nanoimprint-Lithographie Die Strukturierung im Sub 100 nm Bereich erfordert neue Verfahren, die alternativ oder ergänzend zur klassischen optischen Lithographie eingesetzt werden können. Speziell…
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Photonenaktivierte Reinigungs- und Abscheideprozesse
Photonenaktivierte Reinigungs- und Abscheideprozesse Mit zunehmender Verkleinerung der physikalischen Dimensionen von Silizium-basierten Halbleiterbauelementen wird der Einfluss der einzelnen…
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Analogschaltungen mit Tunneltransistoren
Analogschaltungen mit Tunneltransistoren Der Tunnelfeldeffekttransistor (TFET) hat aufgrund seines Funktionsprinzips das Potential zur Skalierung auf kleinere Strukturgrößen und…
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Nanotransistoren auf der Basis ballistischer Y-Schalter
Nanotransistoren auf der Basis ballistischer Y-Schalter Die stetige Miniaturisierung von Transistoren – den Basiselementen integrierter Schaltkreise – führt dazu, dass deren Gateeffektivität…
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Quantenmechanische und ballistische Nanobauelemente auf Siliziumbasis
Quantenmechanische und ballistische Nanobauelemente auf Siliziumbasis Bisher werden als Gründe, warum konventionelle Silizium-basierte MOS-Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs) keinen Einsatz in…
