FORNEL

BAYERISCHER FORSCHUNGSVERBUND FüR NANOELEKTRONIK

Atomar-selbstregelnde Abscheidung von Siliziumnitridschichten

Arbeitsfeld:

Im Teilprojekt soll untersucht werden, inwieweit durch neue Verfahren die atomar-selbstregelnde Abscheidung von Nanometerschichten auf bisher unzugängliche Schichtsysteme erweitert werden kann. Als Demonstratorsystem sollen Siliziumnitridschichten hergestellt werden, da diese Schichten bisher so hohe Anforderungen an die Prozessflexibilität stellen (schnelle Gaswechsel, schnelle Druckwechsel, schnelle Temperaturwechsel, Aktivierung von Precursoren), dass hierfür bisher kein einsatzfähiger Prozess gefunden werden konnte. Aufbauend auf grundlegenden Prozessuntersuchungen am Lehrstuhl für Technische Elektronik der TU München, Bereich Halbleiterproduktionstechnik, wird zur Prozessführung in Zusammenarbeit mit der ATV-GmbH ein flexibler Kleinreaktor entwickelt, der neben einem Rapid-Thermal Lampenfeld auch die Möglichkeit zur katalytischen oder plasmainduzierten Precursor- und Oberflächenaktivierung bieten soll. Die hergestellten Schichten werden in Bauelementen eingesetzt (MOS-Dioden, MOSFETS) und elektrisch charakterisiert (Leckstrom, Durchbruchspannung, Oxidladungen, Einsatz-spannung, Zuverlässigkeit). Die Ergebnisse werden in enger Zusammenarbeit mit den Untersuchungen zur Prozessabfolge auf mikroskopischer Ebene und deren Verknüpfung mit strukturellen und elektronischen Schichteigenschaften am Institut für Technische Physik, Universität Erlangen-Nürnberg korreliert. Ziel ist die Demonstration und Einführung neuer Prozesstechniken zur verlässlichen Herstellung neuartiger Nanometerschichtsysteme.