FORMIKROSYS

FORSCHUNGSVERBUND MIKROSYSTEMTECHNIK

Atomar kontrollierte Synthese von alternativen Gate-Dielektrika

Arbeitsfeld:

Die fortschreitende Reduzierung kritischer Dimensionen in den aktiven und passiven Elementen integrierter, Si-basierter Schaltungen macht es nötig, das thermische Siliziumdioxid durch alternative Dielektrika zu ersetzen. Das betrifft in erster Linie das Gate-Dielektrikum der FETs; zunehmend sucht man aber auch nach alternativen Dielektrika für die Speicherkapazitäten in DRAMS und die Isolation der Verbindungsleitungen. Diese Anforderungen werden in vorbildlicher Weise von der sogenannten „Atomic Layer Deposition“ (ALD) erfüllt. Bei dieser Depositionsmethode wird das Dielektrikum aus der Gasphase dergestalt synthetisiert, dass selbstlimitierende chemische Reaktionen an der Oberfläche des wachsenden Films für eine Abscheidung sorgen, die durch Temperatur und Gaspartialdruck auf atomarer Ebene kontrolliert werden kann. Im Projekt sollen daher Dielektrika mit der Methode der ALCVD mit Schichtdicken im Bereich weniger Nanometer abgeschieden und ihre strukturellen, elektrischen und elektronischen Eigenschaften im Hinblick auf die genannten Anwendungen untersucht werden.