FORNANO

FORSCHUNGSVERBUND FüR MINIATURISIERTE ANALYSEVERFAHREN DURCH NANOTECHNOLOGIE

Analogschaltungen mit Tunneltransistoren

Arbeitsfeld:

Der Tunnelfeldeffekttransistor (TFET) hat aufgrund seines Funktionsprinzips das Potential zur Skalierung auf kleinere Strukturgrößen und Versorgungsspannungen als der MOSFET. Die exponentielle Übertragungscharakteristik ist besonders günstig für analoge Schaltungen. In diesem Projekt wollen wir die Einsatzmöglichkeiten dieses neuen Bauelements in Analog- und Mixed-Signalschaltungen untersuchen und dazu geeignete Schaltungskonzepte entwickeln, auch in der Kombination von MOS- und TFET-Elementen. Als für System-on-Chip wichtige Blöcke sollen Verstärkerstrukturen und Switched-Capacitor-Schaltungen untersucht werden, des weiteren die Realisierung von vertikal angeordneten passiven Elementen im TFET-Prozessablauf und der Einfluss von Technologieschwankungen (robustes Design). Ein am TEP bearbeiteter Projektteil zur physikalischen Bauelementemodellierung und -simulation soll prinzipielle Fragen zur Funktionsweise klären. Mit Hilfe validierter und kalibrierter Bauelementmodelle soll die prädiktive Bauteil- und Schaltungssimulation erschlossen und die Bauelementeentwicklung unterstützt werden.